ПРЕДЫДУЩАЯ ИЗОБРАЖЕНИЕ INDEX СЛЕДУЮЩАЯ

"пер-кор
, "С/ВТ
Окончание
0,12
О,'
0,08
0,05
m
0,02
B5-2S0 BUS-ISO
S
Режим измерения
Параметр
h
са
в
'пр. и. А
1
(-di/dt. А/икс)
Повторяющийся импульсный об-
40
300
ратный ток /обр в п при 7"ц =
= 200°С, мА
Время обратного восстановления
7
100
200
'«ос.оср при 7'в = 200°С, мке
(5)
Время запаздывания обратного
4
100
200
напряжения t3a при Гп = 200оС,
(5)
МКС
Заряд восстановления Qboc при
70
100
200
Гп=200°С, мкКл
(5)
Тепловое сопротивление переход-
анодный вывод Ra'
0.1
"пер—ан- вывод
°С/Вт
Тепловое сопротивление переход-
0,16
катодный вывод Rn
°пер—кат. вывод
°С/Вт
1О'г
10°
10' t,C
B7-20O-3
Днод кремнуевзй диффузионный быстродействующий. Предна­значен для работы в цепях статических преобразователей высокой частоты постоянного и переменного токов на частотах до 10 кГц и повышенной температуре. Выпускается в металлокерамнческоы корпусе таблеточной конструкции. Охлаждение естественное или принудительное. Обозначение типономинала и полярность выводов приводятся па корпусе.
Масса диода не более 40 г.
фзо
Предельные эксплуатационные данные:
Повторяющееся импульсное обратное напряже­ние, В............      300
Неповторяющееся импульсное обратное напряже­ние, В............     350
Импульсное рабочее обратное напряжение, В . .      240
Постоянное обратное напряжение, В . . . .      225
Средний прямой ток при Г„=150°С, /=50 Гц,
р=180°, А.......... .      200
Ударный неповторяющийся прямой ток при 7"„ =
= 200 X, Тн=10 мс, кА.......      3
Защитный показатель при Гп = 200оС, т„=10мс,
А*-с............      45 000
Температура перехода, °С.......      +200
Осевое прижимное усилие, кН.....      3—3,5
Ф16
v -------Ф19.5
ФЫ
\
вывод 2
8ы6од1
xВывод1
Электрические параметры
Параметр
Максималь­ное значение
Режим измерения
ш
а а
1
1-е. ., А ( Midi. A/uкс)
Импульсное прямое напряжение
"пр. п, В
Пороговое напряжение Uaop, В Динамическое сопротивление глмщ, мОм
1.7
1.18 0.8
3.14 /„р. с
(1.57—4.71)/„р. ер (1.57-4.71 )/„р. с„
Примечание. Эксплу-атация диода' без соответству-^ющего внешнего сжатия со эроны оснований диода не допускается.
200 100
1
/
81-200
I
/200'С
20 60
384
385
Сайт создан в системе uCoz