ПРЕДЫДУЩАЯ ИЗОБРАЖЕНИЕ INDEX СЛЕДУЮЩАЯ

Электрические параметры
1—
1*—
---
25'С
X
/
V/
£/2А523А-Ч ■ / 2А523А-Ь
W
/
/
А
~~25
•с
f-.
4-
)
-6О'С
ю-г
1
1
0,3 0,2 0,1
2A523A-2A523B-
if
\\
T=2S°C
\
К
■--------------------------,
Параметр
Значение
Режим измерения
минималь­ное
макси­мальное
н СО X
л
<
s
Ь.
с
уобр- в
(/о0р' мкА)
Критическая частота /Кр, ГГц: Г=—60-^+25 "С 7-=125°С Критическая частота* /нр, ГГц Прямое сопротивление потерь
/"upi Ом
Накопленный заряд Qn«, нКл Общая емкость Ся на f= = 10—30 МГц, пФ: 2А524А-4 2А524Б-4 Время обратного восстановле­ния Гвос, обр при Яг =150 Ом,
МКС
Пробивное напряжение U,,po<s, В: 2А524А-4 2А524Б-4
200 160
40
0,7 0,5
400 300
0,5 400
1.2 0,8
1.5
30
(3) 30
150
150
150 150
150
30
100
100 100
100 (100)
Ofi Of 0,8 J 1,2 U.,,8
0.1 0,1 0,3 Ofi 1„.,А
mo
3000 2000
woo
2A523A-*
25'C
^——
^/25°C
iOO 300 200 WO
2А ZA
523A-k
шв-ь *
А
/
/
/
/
hO SO 120 ISO
/„„,
2A524A-4, 2А524Б-4
Предельные эксплуатационные данные:
Рассеиваемая мощность, Вт:
Т = -60 -Н +85 "С.......
Г=125°С..........
Импульсная падающая СВЧ мощность при ^пбр=Ю0 В в параллельной схеме включения с
1,5 1
Ф2
Диоды кремниевые диффузи­онные переключательные. Рабо­чим элементом диода является полупроводниковая структура ти­па p-i-n. Предназначены для ра­боты в переключателях, модулято­рах, фазовращателях, аттенюато­рах сантиметрового н дециметро­вого диапазонов длин волн в гер­метизированной аппаратуре. Бес­корпусные на кристаллодержате-ле с жесткими выводами с защит­ным покрытием. Обозначение ти­па приводится на индивидуальной таре, Одна красная точка, про­ставленная у положительного электрода, обозначает диод 2А524А-4, две красные точки — диод 2А524Б-4.
Масса диода не более 0,15 г.
Г=50 Ом при Т=— 60-^ +85 °С, кВт . .
3 30—100
500 —60 -^ +125
ВыВод 2
t
Вы Sod 1
Постоянное обратное напряжение, В Постоянный прямой ток, мА Температура окружающей среды, °С
\
Примечания: 1. Разрешается производить пайку выводов диодов низкотемпературными припоями с температурой плавления не более 145 °С. Время пайки не более 1 мин. Глубина погружения вынодов в припой не более 0,5 мм от торцевой поверхности диода.
2. Не разрешается прикладывать сжимающее усилие более 17 Н нлоль продольной оси диода.
189
Вывод 1
' место маркировки
188
Сайт создан в системе uCoz