ПРЕДЫДУЩАЯ ИЗОБРАЖЕНИЕ INDEX СЛЕДУЮЩАЯ

п°евы°ш ТаК1ооТ°ГЫ " любых Условиях температура на держателе не
3. Механические усилия на изоляционное покрытие кристалла не допускаются. Усилие на прижимной контакт не более 30 Н.
Электрические параметры
Значение
Режим измерения
л
н
Параметр
мал
0)
• о
s х
(0
а
оо0р. в
мини ное
п го
z г
V;
п о.
а
D ■•■
обр' мкА)
Критическая частота /кр на
Я,= 10 см, ГГц:
30
50
100
- Г=25°С
200
Т= 60 и +125 "С
170
Прямое сопротивление потерь
/•Яр на Л=10 см, Ом
0,5
30
50
Общая емкость Сд на / =
= 10—30 МГц, пФ
100
2А523А-4
0,9
1.5
2А523Б-4
1
2
Накопленный заряд QnK, нКл
220
50
too
Время обратного восстановле-
ния /вое, оср при /?г=150 Ом,
МКС
1,5
100
50
Тепловое сопротивление пере-
ход — корпус Ra , "С/ Вт "пер-кор
4.5
Пробивное напряжение UUpnt, В:
(30)
2А523А-4
500
2А523Б-4
600
0,5
—т-------1--------2А521А
Г =25'С
%=208т
85°С
,____
гп?,0м-
V5 1,05
US21A
/
/
у
/
/
8000 5000
7
2А521А
2000
186-187-1.jpg
гт\-
О W 80 120 ISO 200
20 W 60 80 1001°C 0
10 20 Л,См
N
ч
2А521А
S
s
20 W 60 80 /00 Г/С
Ф2
2А523А-4, 2А523Б-4
Предельные эксплуатационные данные:
Рассеиваемая мощность, Вт-
Т от —60 до +25° С
Г=125*С             .            ......
Импульсная рассеиваемая мощность при ти = = 300 мке, скважности 5 и ГД = 25°С, Вт Постоянное обратное напряжение, В Постоянный прямой ток, мА Температура окружающей среды, °С
20
7
100 40—200
300
от —60 до + 125
ВыводZ
Диоды кремниевые диффузи­онные переключательные. Рабочим элементом диода является полу­проводниковая структура типа p-i-n. Предназначены для работы в коммутационных устройствах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в гермети­зированной аппаратуре. Бсскор-пусные на кристаллодержателе с жесткими выводами с защит­ным покрытием. Одна черная точ­ка, проставленная у положитель­ного электрода, обозначает диод типа 2А523Л-4, две черные точ­ки — диод типа 2А523Б-4.
Масса диода не более 0,15 г.
Вывод 2
JL
\
186-187-2.jpg
Примечания: 1. Допускается применять диоды при посто­янных обратных напряжениях, меньших 40 В, при амплитуде напря­жения СВЧ не более 20 В.
2.  Разрешается производить пайку выводов диодов низкотемпе­ратурными припоями с температурой плавления не более 145 °С. Вре­мя пайки не более 1 мин. Перед пайкой диодов торцевую поверх­ность следует зачистить скальпелем или бритвой до появления бле­стящей поверхности. Глубина погружения выводов в припой не бо­лее 0,6 мм от торцевой поверхности диода.
3.  При монтаже и в условиях эксплуатации сжимающее усилие па диод не должно превышать 20 Н.
187
ВЫШ 1
4 Место маркировки
186
Сайт создан в системе uCoz