|
|
|
I--------------1 2A51
|
BA-.
|
|
|||
|
s
|
|
|
|
J
|
/
|
||
|
|
|
|
У
|
|
|||
|
J
2
|
|
|
/
|
|
|
||
|
|
/
|
|
|
|
|||
пр
Окончание
|
|
|
Значение
|
|
Режим
|
измерения
|
||||
|
&
Параметр
|
|
S
|
. 8
Я 3
|
|
Япд. мВт
|
я
|
в
|
||
|
|
|
|
л «
|
|
(кВт)
|
о.
с
|
f
|
||
|
|
|
я я
|
Я Я
|
|
|
"■"
|
|
||
|
Прямое сопротивление
|
потерь
|
|
|
|
|
|
|
||
|
ГцР на низком уровне
|
мощно-
|
|
|
|
|
|
|
||
|
сти на /—2 ГГц, Ом:
|
|
|
|
|
30
|
100
|
|
||
|
Г = — 60н-+25°С
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
2А518А-4
|
|
|
1
|
|
|
|
|
||
|
2А518Б-4
|
|
|
2
|
|
|
|
|
||
|
7-=100°С
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
2А518А-4
|
|
|
1,
|
5
|
|
|
|
||
|
2А518Б-4
|
|
|
2
|
|
|
|
|
||
|
Прямое сопротивление
|
потерь
|
|
|
|
|
|
|
||
|
г„„ на высоком уровне
|
мощно-
|
|
|
|
|
|
|
||
|
сти, Ом:
|
|
|
|
|
(15)
|
100
|
|
||
|
2А518А-4
|
|
|
1
|
|
|
|
|
||
|
2А518Б-4
|
|
|
2
|
|
|
|
|
||
|
Общая емкость Са
|
48 / =
|
|
|
|
|
|
|
||
|
= 30 МГц, пФ
|
|
0.6
|
0
|
8
|
|
|
100
|
||
|
Время обратного восстановле-
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
ния 1„вс, пир на /=
|
1,5 ГГц,
|
|
|
|
|
|
|
||
|
мке:
|
|
|
|
|
30
|
100
|
too
|
||
|
2A5I8A-4
|
|
|
6
|
|
|
|
|
||
|
2А518Б-4
|
|
|
2
|
,5
|
|
|
|
||
|
Время прямого восстановления
|
|
|
|
|
|
|
|||
|
<dc,c. up на /=1,5 ГГц,
|
мке:
|
|
|
|
30
|
100
|
100
|
||
|
2А518А-4
|
|
|
2
|
,5
|
|
|
|
||
|
2А518Б-4
|
|
|
1
|
|
|
|
|
||
|
Индуктивность L,, на /
|
= 2 ГГц
|
|
|
|
|
|
|
||
|
и Гн
|
|
0,5
|
0
|
.8
|
30
|
100
|
|
||
hi 12 U R 0/t 0,6 D,8 1U В
"V ' ПО'
2A518A-4, 2А518Б-4
Диоды кремниевые диффузионные переключательные. Рабочим влемеитом диода является полупроводниковая структура типа
"авкиаЛк
р~1'п- Предназначены для ра-боты в переключателях деци-
ВЫШ1
метрового и сантиметрового
диапазонов длин волн в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с жесткими выводами' на кристаллодержате-ле. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса диода не более 0,4 г
ВыВод 2
Электрические параметры
Значение
Режим измерения
Параметр
(кВт)
Предельные эксплуатационные данные:
[Постоянное обратное напряжение, В . 200
^.Постоянный прямой ток, мА . . 500
(Импульсная рассеиваемая СВЧ мощность, кВт 2
"Температура перехода, "С . ■. . 125
Температура окружающей среды, °С —60 -4- +85
Примечания: I. Диоды крепят за металлический цилиндрический держатель. Контакт по цилиндрической поверхности должен „обеспечивать тсплоотвод так, чтобы в любых условиях температура { на держателе не превышала 85 °С.
2. Механические усилия на изоляционное покрытие кристалла не (допускаются. Усилие на прижимной контакт не более 30 Н. Не разрешается прикладывать сжимающее усилие более 30 Н вдоль про-[ дольной оси диода.
181
Критическая частота /кр, ГГц: 2А518А-4 2А518Б-4
70 50
(15)
100
100
/кр "а
= —60 ~ +25 "С 2А518А-4 2А518Б-4 = 100 °С
130 90 70
30
100
100
180