Электрические параметры
|
2А5!2А-Ь,2А5/2б-4
|
|||||
|
|
|
|
|
||
|
|
|
Т = 25'С
|
|||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
"в
3000 2500 2000\ 1500
\1000 500
|
2A5l2A-k,2A512B-U
|
||||||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
у
|
Т = 25°С
|
|||
|
|
|
-125'С
|
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
2000
|
—
|
2А512А-Ь 2AS 12 6-Ь
|
||||
|
|
Т=25°С^
|
|
|||
|
|
|
-*<85°С
|
|||
|
|
ол?г5ов
|
|
|||
|
|
|
|
|
||
Качество диода на уровне мощности QB Качество диода на
высоком низком
1200
500 500
500 500
500
200 200
tw*
уровне мощности QB:
Т = -60 -~ +25 °С
Г=85°С
Постоянное прямое напряжение Unp, В
Прямое сопротивление потерь л„р при 7" = — 60 -г- +85 °С, Ом Общая емкость Сд на [= = 30 МГц г?Ф
Время обратного восстановления <пос. обр. МКС
Время прямого восстановления
'■ос, пр, МКС
4000 3000
1,15
1,9
2,5
0,85
' 40
6
0
250 500 Jnt,MA 150 500
,MA 250 500 fnt,MA
200
200
30
2000
|
|
|
|
|
|
2A51 2A5h
|
i-------1A-4
|
||
|
|
U^WOB
|
|
|
>S-4
|
||||
|
|
|
|
——-
|
25'C
|
|
|
||
|
.—"
|
--—
|
|
|
05'C
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
|
|
||
|
2A512A
|
-4,2/15126-4
|
|||||
|
|
|
|
\
|
|
||
|
|
|
|
|
\
|
||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
|
|
|
|
||
0,45
Предельные эксплуатационные данные-
%атгрмГие-в ■ • •
™ Та ^=200 в- -А "«о-0-75
Темпера;ра %£%Г% 'ВЧ —-.Вт' '
Температура окружающей среды, °С '. ' \ \ _60-°+85
250 500 750 1П9,мА -60 -20 +20 НО +Ю0Т,°С
I0(f, мкА
|
150 125
|
|
2ASI2A-4,2A512B-4
|
||||||
|
|
|
2006
|
|
I
/
|
|
|||
|
100 75
40
|
|
|
|
/
|
/
|
|
||
|
|
|
У
|
|
|
|
|||
NJ
2A512A -4 A5126-4
30\
Уровень 0,01
Уровень о, 1
ком
10
10°
10'
|
|
2А512А-4 2А5126-4 Л?
|
|
||||
|
|
|
|||||
|
|
|
/7
|
//r=-60'C
|
|||
|
|
/
|
п
|
|
|
||
|
|
|
1
|
^25'C '-
|
|||
|
|
|
■f-85'C
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
2А5 2А5
|
■ 12 А ^ 126->,
|
i-----------
t
|
||
|
|
i>
|
||||
|
|
,Т=85'С
|
|
|||
|
|
25'С
|
|
|||
|
ч
|
|
|
|
||
|
|
|
--—.
|
|
||
10 39 40 0Лг,8
0 20 40 60 80 J, °C
7103
|
|
2A512A-4 2AS126-'ts'
|
|
||||
|
|
||||||
|
|
|
T = 25°C
|
|
|||
|
0a= 200-2503
|
|
|
||||
|
|
|
85°С^
|
-
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
2А513А-1, 2А513Б-1, КА513А-1, КА513Б-1
Диоды кремниевые переключательные с переходами, созданными на оснопе ионной технологии. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-4-p-i-n. Предназначены для работы в поглощающих переключателях диапазона длин волн 0.8—2 см в герметизированной аппаратуре. Бескориусние с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на таре.
Масса диодов 2A513A-I, КА513А-1 не более 0,075 г. 2А513Б-1, КА513Б-! не более 0,06 г.
175
-2
5-ioA
т
3-№
0,6 0,8 1 1,7 Ц
174
0 0,2 0,4 In?tMA 250
500