ПРЕДЫДУЩАЯ ИЗОБРАЖЕНИЕ INDEX СЛЕДУЮЩАЯ

2А506А-2А506Г
Предельные эксплуатационные данные:
кпульсная СВЧ мощность в липни с №=250 Ом ри т« = 1 мке и Q=500, кВт:
162-163-1.jpg
вывод t
р 0
р = 100 мА
2 10»
2
100 —60-т-+125
рассеиваемая мощность, Вт ...           .
ояиное обратное напряжение, В ... Температура окружающей среды, °С . .
Примечания: 1. Разрешается подстройка частоты диодов 506А, 2А506Б до 9100 МГц, 2А506В, 2А506Г до 8400 МГц, 6Д до 13 000 МГц.
2.  Допускается кратковременное воздействие температуры окру-' жающей среды 140 °С в течение 30 мин. Разрешается впайка диодов ■- устройства при температуре не более 150 "С в течение 1 мин. До­пекается двух-трехкратная перепайка диодов.
3.   Потери запирания в интервале температур —60-^+125° С ^практически остаются неизменными.
4.  При установке в аппаратуру диодов категорически запреща­ется перегибать вывод на расстоянии менее 2,6 мм от основания и прикладывать растягивающее усилие к выводу более 0,1 Н.
5.  При включении диода в линию с волновым сопротивлением, отличным от 250 Ом, допустимая импульсная СВЧ мощность опре­деляется по формуле
2А506Д
162-163-2.jpg
ВыШ2
Электрические параметры
162-163-3.jpg
Потери пропускания Т=25 "С.
■ од, и =
250 W
пд, и max-
100
ISO
wo\
50
2А506А-
-BO'cJ
1
2А50ВД
125'CfJ
1
/
1/
У,
20 18 IS
и.
2А50 2А50
6А-
/
БД
1
/
/
Г?
/
2А506А, 2А506Б
±50 МГц
2А506В, 2А506Г
на
/ = 9800± /=9Ю0±
0,4
0,4 0,7 0,7
100
на
±50 МГц
2А506Д на /=13 700±50 МГц Г=— 60 и +125 "С Потерн запирания L3. ДБ:
2А506А на /=9800±50 МГц
2А506Б на f=9800±50 МГц
2А506В на /=9100±50 МГц
2А506Г на f=9100±50 МГц
2А506Д на f=13 700±50 МГц
22 18 22 18 22
Ofi 0,6 0,8
1,2
V
0 50 100 150 200 250 In ,мА
Время обратного 'вое, о о р. мке:
2А506А, 2А506Б
±50 МГц
2А506В, 2А506Г
±50 МГц Время прямого 'вое, жр. мке:
2А506А, 2А506Б
восстановления на /=9800± на f=9800±
восстановления на /
60 60
100
0,55 0,5
1
2А506А-2А50ВД
OfiS
0,35
0,3 075
1
2А50ВА 2A50S&
-
/
/
/
Ofi 035
±50 МГц
2А506В, 2А506Г на /=9100± ±50 МГк-
-B0-20 +20 +60 +100 НЬО I "C
163
Сайт создан в системе uCoz