Раздел в осьмой Диоды сверхвысокочастотньк
Примечания: 1. При монтаже диода в устройство не допускается затекание припоя и ф.чюса на боковую поверхность кристалла. Пайку диодов следует проводить при температуре, не превышающей 170 "С, любым мягким припоем.
2. Необходимо принимать меры, исключающие повреждение диодов от воздействия разрядов статического электричества, токов утечки от посторонних источников напряжения.
3. Полярность диодов определяется тестером.
4. При включении диода в линию с волновым сопротивлением, отличным от 50 Ом, допустимая импульсная рассеиваемая мощность определяется по формуле
Р -— Р
'рас. и - - ™ 'рас, и max-
2А503А, 2А503Б
Выбод 1
Диоды кремниевые сплавные
переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводнико-ВыВод 1 вая структура типа p-i-n. Предна-_L значены для работы в переключателях, модуляторах, фазовращателях, IВ ей? аттеиюатоРах сантиметрового и де-I циметрового диапазонов длин волн.
Бескорпусные с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на
индивидуальной таре.
Масса диода не более 0,00214 г.
|
|
|
2А503А
|
|
|||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
/
|
|
|
||
|
|
/
|
|
|
|
||
|
/
|
|
|
|
|
||
20 15 10 5
|
1
|
|
2A50JA
|
|||
|
|
|
2А50
|
Jb
|
||
|
\
|
|
|
|
||
|
\
|
|
|
|
||
|
|
|
|
— —
|
||
Электрические параметры
3,5 3
Параметр
|
Значение
|
Режим измерения
|
||||
|
минималь мое
|
максимальное
|
рпл- мВт
|
'пр. »А
|
||
|
|
0,3
|
|
100
|
||
|
|
3,3 5
|
|
100
|
||
|
1500
|
|
>5
|
0
|
||
|
|
6 60
|
>1 >1
|
100 0
|
||
|
0,365 0,33
|
0,435 0,425
|
5
|
|
||
'0,9 0,95 1
1,05 1,14^,8 О
50 100 1501 MA uQt, 0,6 0,8
Прямое напряжение UBp
при
Г=_60-т-+125°С, В Прямое сопротивление потерь rUp на /=3 ГГц, Ом:
2А503А
2А503Б
Прямое сопротивление
потерь
2A505A, 2А505Б, 2A505B
Л1Р на /=3 ГГц, Ом Время прямого восстановления 'вое. пр на f=3 ГГц, мке Время обратного восстановления /вое, обр на /=3 ГГц, мке Емкость перехода Спер на /=3 ГГц, пФ:
2А503А
2А503Б
Диоды кремниевые сплавные переключательные. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n. Предка -
значе71Ы для работы в переключателях, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с гибкими выводами. Обозначение типа и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Предельные эксплуатационные данные:
мощность при длительном воздейст-
виТвИт Эе де
Импульсная рассеиваемая мощность 'в линии с T??;nPV™bM В°ЗДеЙСТ В
1
не более I
1
125 —60-т-+125
Масса диода 0,05 г.
1емпература окружающей среды, "С •■ 158
159