|
|||||||||||||||||||||||||||||
Продолжение табл. 3
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Переходное тепловое сопротивление днода
|
Примечание*. Если полупроводниковый кристалл имеет многослойную структуру, может быть использован термин «тепловое сопротивление структура — окружающая среда> или термин «тепловое сопротивление структура — корпус»
Отношение разности изменения температуры перехода и температуры в контрольной точке в конце заданного интервала времени, вызывающего изменение температуры, к скачкообразному изменению рассеиваемой мощности днода в начале этого интервала.
Примечание. Непосредственно перед началом этого интервала времени распределение температуры внутри диода должно быть постоянным во времени Переходное тепловое сопротивление в случае, когда температурой в контрольной точке является температура окружающей (охлаждающей) среды Переходное тепловое сопротивление в случае, когда температурой в контрольной точке является температура корпуса диода
Последовательная эквивалентная индуктивность диода при заданных условиях
Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника
|
||||||||||||||||||||||||||||
"пер-окр
|
Переходное тепловое сопротивление переход — среда диода
Переходное тепловое сопротивление переход — корпус диода
Индуктивность диода
Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода
|
||||||||||||||||||||||||||||
"пер-кор
|
|||||||||||||||||||||||||||||
Т8фф
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||
i
|
|||||||||||||||||||||||||||||
|
|||||||||||||||||||||||||||||